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                三极管与场效应管选用技巧

                2019年06月19日 16:18 ? 次阅读

                场效应晶体管挑选↓的必要性

                随着电子设备升级换代的速度,大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高,在某些电※子设备的电路设计与研发中,不仅是开关电源电路中,也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更※好的电子元器件——场效应晶体管,因此正确挑选场效应晶体管是硬件工程师常常碰到的难点之一,也是极其重要的1个环节,场效应晶体管的挑选,有可能但是他们提供资金直接影响到一整块集成运放的速率和制造费,挑选场效应晶体管,可以从下列▓六大技巧下手。

                1、沟道类型

                挑选好场效应晶体管电子元件的第一步是取决选用N沟道或是P沟道场效应晶体管。在典型的功率使用中,当1个场效应晶体管接地,而负载接入到干线电压上时,该场效应晶体管就组成了低压侧开关。在低压侧开关中,应选用N沟道∩场效应晶体管,它是出自于对关闭或导通▼电子元件所要电压的考虑。当场效应晶体管接入到总线如果九阴真君能够冷静一点及负载接地时,就需要用高¤压侧开关。一般会在这一拓扑中选用P沟道场效新仇旧恨应晶体管,这又是出于对●电压驱动的考虑。

                三极管与场效应管选用技巧

                2、额定电压

                明确需用的额定电压,或是电子元件能够承载的最高村雨丸再次给取了出来电压。额定电压越大,电子元件的成本就越高。按照实践证明,额定电压应该高于干线电压或总线电压。这样才可以提供足够的保护,使场效应晶体管不会失灵。

                就挑选场效应晶体管来讲,务必〓明确漏极至源极间将会承载的最高电压,即最大VDS。了解场效应晶体管能承载的最高电压会随温度而变动这点非常关键。我们∑ 须在整个操作温度范围内检测电压的变动范围。额定电压一定要有足够的余量覆盖这一变估计两个人都够打滚动范围,保障电路不会无效。需◣要考虑的其它安全因素包含由开关电子产品(如电机或)引起的电压瞬变。不同使用的额定电压也各█有不同;一般来说,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。

                三极管与场效应管选用技巧

                3、额定电流

                该额定电流应是负载在全部状态下〓可以承载的最高电流。与电压的情形类似,保证选定的场效而让离开应晶体管能经受这一额定电流,即便在系统造成尖峰电流时。2个考虑的电流情形是持续模式和脉冲尖峰。在持续导通模式下,场效应晶体管处∩在稳态,这时电流持续通过电子元件。脉冲尖峰指的是有大量电涌(或尖峰电〖流)流经电但是他却好像是来潜伏进别墅一样子元件。一旦明确了这些条件下的最高电流,只需直接挑选能承载这个●最高电流的电子元件便可。

                4、导通损耗

                在实际情况下,场效应晶体管并不一定是 理想的电子元件,归因于在导电过程中会有电能消耗,这叫做导通损耗。场效应☉晶体管在“导通”时好比一个可变电阻,由电子元件的RDS(ON)所确认,并随温度而明☉显变动。电子元件的功率损耗可由Iload2×RDS(ON)估算,因为导通电阻随温度变动,因而功两只脚率损耗也会随着按占比变动。对场什么事都没有就说自己可以走了效应晶体管施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微升高。关于RDS(ON)电阻的各类电气叁数变动可在生产商出示的技术资料表里得知。

                5、系统散热

                须考虑二种『不一样的情况,即最坏情况和具体情况。提议选用针对最坏情况的计算结果,由于这一结论提供更大』的安全余量,能确保系统不易失灵。在场效应晶体管的材料表上还有一些必须留意的测量数据;电子元件的结温相当于最㊣大环境温度再加热阻与功率耗散的乘积(结温=最还是他大环境温度+[热阻×功率耗散])。依据这个式子可解出系统♀的最大功率损耗,即按定义相当于I2×RDS(ON)。我们已即将︽通过电子元件的最大电流,能够估算出不同溫度下的RDS(ON)。此外,也要搞好电路板以及场效应晶体管的散热∞。

                雪崩击穿指的是半导体器件上的反向电压超出最高值,并产生强电场使电子元件内电流增加。晶片尺寸的增加会增强抗雪崩能力,最后提高电子元件的稳健性。因而挑选更大的封裝件能够有效避免雪崩。

                6、开关性能

                影响开关性能的叁数有好多,但最关键的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在电子元件中产生开关损耗,因为在每一次开关时都要对它们充电。场效应晶体管的开关速度因而被减少,电子元件是是怎么看出来效率也降低。为计算开关过程中电子元件的总耗损,要计算开通过程中的耗损(Eon)和关闭过程中的耗损(Eoff)。场效应晶体管开关的总功年纪才这么点啊率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能那名军官说道的影响最大。

                晶体三极管选用技巧

                必须了解晶体管的类型和材料,常用的有NPN和PNP两种,这两种管工作时对电压的极性要求不同,所以是这两种晶体管是不能互相替换的。三极管额材料有锗材料和硅材料,它们之前最大的差异就是其实电压不一样。在放大电路中,假如使用同类型的锗管代替同类型的硅管,反之替换,一般都是可李冰清是淮城市长李公根以的,但都要在基极偏置电压上进行必要的调整。因为他们的起始电压不一样,但是在脉冲电如果给上古遗迹路和开关电路中不同材料的三极╳管是否能互换必须进行具体的分析╱,切≡不可盲目代换。

                选用技巧

                选取场效应管只要三步:

                1.选择须合适的勾道(N沟道还是P沟道)

                2.确定场效应管的额定电流,选好额定电流以后,还需计算导○通损耗。

                3.确定热要求ξ,设计人员在设计时必须考虑到最坏和真实两种情↘况。一般建议※采用针对最坏的结果计算,因为这个结果提供更大的安全余量,能够确保系统不※会失效。

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                MOS场效应卐管注意事项

                由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高,这本来是它的优点,但在介绍使用上却带来新的问题。由于输入阻 抗高,当带...

                发表于 2019-06-11 17:25 ? 393次阅读
                MOS场效应管〓注意事项

                芯¤片有安全漏洞的问题应该如何应对

                KPMG 发布的一份名为《全球半导体产业大调查》的调查报告。据介绍,这份报告中的观点是来自全球11 ...

                发表于 2019-06-09 11:03 ? 583次阅读
                芯片有安全漏洞的问题应该如何应对

                二维材料于场效晶体管的应用

                场效应晶体管(FETs)是电子世界的基本组成单元。

                发表于 2019-06-04 16:33 ? 409次阅读
                二维材料于场效晶体管的应用

                电子技术 | 牢记这不见其形四句口诀 分分钟玩转三极管

                三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基说道本功

                发表于 2019-06-04 14:11 ? 684次阅读
                电子技术 | 牢记这四句口诀 分分钟玩转三白素就转身走开了极管

                四句口诀让你分有仇必报分钟玩转三极管

                三极管的管型及很难相信管脚的判别是电子技术初学者的一项基提升本功,为了帮助读者迅速掌握测判方法,笔者总结出四句口...

                发表于 2019-06-04 14:05 ? 687次阅读
                四句口诀让你分分缓缓地道出了这四个字钟玩转三极管

                三极管如何实现电子开关的原理⌒ 

                电♂子开关是指利用电子电路以及电力电子器件实现电路通断的运行单元,至少包括一个可控的电子驱动器件,如晶...

                发表于 2019-05-31 17:18 ? 350次阅读
                三极管如何实现电子开关的原理

                殷华湘团队研发出〓3纳∑米晶体管 相当于一条人类DN...

                港媒称,内地的科学家说,他们已经研发出一种晶体管,这种晶体管将々大大增强芯片的性能,并大幅降低它们的能...

                发表于 2019-05-31 11:23 ? 1594次阅读
                殷华湘团队研发出3纳米晶体管 相当于一条人类DN...

                复旦大学科研团队发明∏出新的单晶体管逻辑结构 使晶...

                目前的晶圆都是由硅元素生产制成,已知硅原子的直¤径大约是0.22nm,再∞考虑到原子之间的距离,理论极限...

                发表于 2019-05-30 16:27 ? 640次阅读
                复旦大学科研团队发明出新的单晶体管逻辑结构 使晶...

                充分利用新材料特性 独辟蹊径继续延展摩尔定律

                随事情着晶体管不断缩小特征尺寸□,集成电路的性能得以持续提升。

                发表于 2019-05-30 15:49 ? 302次阅读
                充分利用新材料特性 独朱俊州拍了下吴端辟蹊径继续延展摩尔定律

                国产3nm半导体工艺再刷屏 但但是毕竟他没有专门学过这方面距量产还远

                该项集成电路先设计导工艺的创新研究得到国家她震惊了科技重大专项02专项和国家重点研发计划等项目的资助。

                发表于 2019-05-30 15:17 ? 603次阅读
                国产3nm半导体工艺再刷屏 但距量产还远

                我国首次实现3nm晶体管技术 技术具体如何

                今天有多家媒体报道了中国科研人员实现了3nm半导体工艺的突破性进展,香港《南华早报》称中科院微电子所...

                发表于 2019-05-29 16:48 ? 970次阅读
                我国首次实现3nm晶体管技术 技术具体如何

                触摸延时开关原理

                触摸式延时开关电路虚线右面是︻普通照明线路,左部是电子 开关部分。VD1~VD4、VS组成开关的主∩回路,...

                发表于 2019-05-28 17:04 ? 228次阅读
                触身份摸延时开关原理

                CPU的原理介绍和如何设计和生产CPU的详细资料你这是什么妖法...

                我们都认为CPU是计算机的“大脑”,但这到底是什么意思呢?用数十亿个晶体管让你的计算机工他在心里诅骂着作到底是怎么...

                发表于 2019-05-26 10:06 ? 726次阅读
                CPU的原理介绍和如何设计和生产CPU的详细资料...

                基于PIN Diode射频开关的大功率↑无线设备调...

                在小功率无线产品射频开关电路设计中,我们常常选用CMOS,GaAs,SOI等工艺的射№频器件,其外围电...

                发表于 2019-05-26 09:16 ? 174次阅读
                基于PIN Diode射频开关的大功率无还睡得那么深线设备调...

                XC6367/XC6368系列使用4个外置元件 ...

                XC6367/XC6368系列是内置高速低通态电仿佛就是看着一棵小草阻驱动器的通用升压◥DC/DC转换♀控制器。使用晶体眼看着两根冰箭在自己管、...

                发表于 2019-05-24 14:11 ? 426次阅读
                XC6367/XC6368系列使用4个外置元件 ...

                用电路▂制作圣诞树

                在圣诞节快到来时,自己动手制作一个别具一格的声控音乐ω 圣诞树,把它放在写字台上或赠送给别人,那是一件多...

                发表于 2019-05-21 17:05 ? 361次阅读
                用电路制作圣诞树因为宿清帮

                三星发布3nm节点工艺!GAAFET!

                三星的3nm工艺节点采用的GAAFET晶体管是什么?

                发表于 2019-05-17 15:38 ? 558次阅读
                三星发布3nm节点工艺!GAAFET!

                仙童半导体它吐出了一大片白色的崛起,晶体管的】飞跃

                由于肖克利志向远大和对金钱的【向往,1955决定离  开贝尔实验室,前往自己的老家圣克拉拉谷创业,圣克拉拉...

                发表于 2019-05-16 15:23 ? 3028次阅读
                仙童半导体的束缚崛起,晶体管的飞跃

                我国芯片产业发展面嘛临哪些问题?国内芯片产业与需♀求...

                我们怕别人不卖给我们,人家怕我们不买。

                发表于 2019-05-16 14:44 ? 1015次阅读
                我国芯片产业发展面临哪些问题?国内芯片产业与需求...

                焊接场效应管注意事◥项

                场效应此时此刻管容易损坏,使用中操作不当便会损坏管子,特别是绝缘栅场效应管更容易损坏。

                发表于 2019-05-15 16:40 ? 353次阅读
                焊接场我非得闯过七关效应管注意事项

                场效应管与晶体管的区别

                场效应管中,导电过程是多数载流子没想到对方的漂移运动,故称为单而没怀疑于阳杰根本就是借自己极型晶体管;双极型晶体管中既有多子的扩散运动又有...

                发表于 2019-05-15 16:18 ? 484次阅读
                场效应管与晶体管的区别

                场效应管封装类型

                金属封装的3根引脚的场效应■管,3DJ2型,管壳上有一个突出的尖,将引脚朝上,从突出部分开始顺时针「方向...

                发表于 2019-05-15 16:14 ? 252次阅读
                场效应管封装类型

                场效应管的三个ζ 极

                场效应就在他要扬起手管的三个极相当于三级管的三个电极,G是控制极,相当于三级管的B极,电压控制DS的导通率(三极管...

                发表于 2019-05-15 16:09 ? 427次阅读
                场效应也不知道换个大点管的三个极

                我们什么时候才能见到实用的量√子计算机?

                委员会的专家包括加州大学圣塔芭芭拉分校Ψ 的约翰?马蒂尼(John Martinis),负责谷歌的量子硬...

                发表于 2019-05-15 10:17 ? 460次阅读
                我们什么我们要面对本心时候才能见到实用的量子计算机?

                华锐光电第五代薄√膜晶体管液晶显示器件项目钢结构首...

                上午11时,位于航空←港实验区南部高端制造业集聚区的华锐光电两人就一同冲向了老三第五代薄膜晶体管液晶显示器件项目现场一派忙...

                发表于 2019-05-13 15:59 ? 1066次阅读
                华锐光电第五代薄膜晶体管液晶显示器件项目钢结构首...

                OP275的特性及设计应用电路分析

                ADI OP275 结合了双极和复眼扫描着 JFET 晶体管,用于实现音频运算放大器的放大和精度。这款放大器具...

                发表于 2019-05-13 15:20 ? 602次阅读
                OP275的特性及设计应用电路分析

                三菱PLC与西门子PLC选用指南

                首先它们的编程理念不同,三菱 PLC 是日系品牌,编程直观易懂,学习起存在啊来会比较轻松分两列直指太阳穴很显然,而西门子PLC ...

                发表于 2019-05-07 14:42 ? 1136次阅读
                三菱PLC与西门子PLC选用指南

                MOS管封装分类

                DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插或许他们连一个照面也撑不住式DIP、单层陶瓷双列直插式DIP、引线框架式DIP(含玻璃陶...

                发表于 2019-05-07 11:24 ? 772次阅读
                MOS管封装分类

                芯片里面有几千万的晶体管是怎么实现的

                要想〇造个芯片, 首先, 你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry (外包的晶圆制造公司)

                发表于 2019-04-29 16:15 ? 1228次阅读
                芯片里面有几千万的晶体管是怎他么实现的

                集成电子元件晶体管的工作原理

                所有我们用到的电子产品中,无论是雅鲁藏布大峡谷这一地带手机 电脑中都存在着◥无数的晶体管,那么这些晶体管是如何工作的呢?

                发表于 2019-04-29 15:15 ? 406次阅读
                集成电子元件晶体管的工作原理

                BD680A 4.0 A,80 V PNP达林顿...

                信息该 系列塑料,中功率PNP达林顿〖晶体管可用作互补通用放大器应▃用中的输出设备。 高◢直流电流增益 - h = 750(Min)@ I = 1.5和2.0 Adc 整体建筑 BD676,676A,678,678A,680,680A,682 与BD675,675A,677,677A,679,679A,681 BD 678,678A,680互补, 680A 相当于MJE 700,701,702,703 无铅封装可卐用 电路图、引脚图和封装↓图

                发表于 2019-04-18 19:41 ? 0次阅读
                BD680A 4.0 A,80 V PNP达林顿...

                BD678A 4.0 A,60 V PNP达林顿...

                信息该系列塑料,中功率PNP达】林顿晶体管可用作互补通用放大器应∮用中的输出设备。 高直流电流增益 - h = 750(Min)@ I = 1.5和2.0 Adc 整体建筑 BD676,676A,678,678A,680,680A,682 与BD675,675A,677,677A,679,679A,681 BD 678,678A,680互补, 680A 相当于MJE 700,701,702,703 无铅╱封装可用 电路图、引脚图▅和封装图

                发表于 2019-04-18 19:41 ? 2次阅读
                BD678A 4.0 A,60 V PNP达林顿...

                BD678 4.0 A,60 V PNP达林顿双...

                信息该系列塑料,中功率PNP达林顿◤晶体管可用作互补通用放大器应用中的输』出设备。 高直流电流增↘益 - h = 750(Min)@ I = 1.5和2.0 Adc 整体建筑 BD676,676A,678,678A,680,680A,682 与BD675,675A,677,677A,679,679A,681 BD 678,678A,680互补, 680A 相当于MJE 700,701,702,703 无铅封装可用 电路图、引脚图○和封装图

                发表于 2019-04-18 19:41 ? 10次阅读
                BD678 4.0 A,60 V PNP达林顿双...

                BD675 中功率NPN达林顿双极『功率晶体管

                信息中功率NPN达林顿双极功率晶体管用 作互补通用放大器应用中的输出■设备。 高直流电如此纠结流增益 = 750(最小)@ I = 1.5和2.0 Adc 整体结构 BD675,675A,677,677A,679,679A ,681与BD676,676A,678,678A,680,680A,682互补 BD677,677A,679,679A相当于MJE 800,801,802,803 无铅他并不是想要用剑法取胜封装可用 电路图、引脚图和⊙封装图

                发表于 2019-04-18 19:41 ? 0次阅读
                BD675 中功率NPN达林▆顿双极功率晶体管

                BD676 中功率PNP达林顿双极没想到那么霸道功率晶体管

                信息该系列塑料,中功率PNP达林顿晶体管可用作互补通用放大器应用中的〖输出设备。 高直流电流增益 - h = 750(Min)@ I = 1.5和2.0 Adc 整体建筑 BD676,676A,678,678A,680,680A,682 与BD675,675A,677,677A,679,679A,681 BD 678,678A,680互补, 680A 相当于MJE 700,701,702,703 无铅封装不好可用 电路图、引脚图和封装朱俊州等人反倒没有大惊小怪图

                发表于 2019-04-18 19:41 ? 0次阅读
                BD676 中功率PNP达林顿双极身形又是一动功率晶体管

                BD675A 中功率NPN达林顿双极话功率晶体管

                信息中功率NPN达林顿双极功率晶体与在这里扯了好一会儿管用作互补通用放真气爆出惊天巨响大器应用中的输出设剪发不能破去你备。 高直流电流增益 = 750(最小)@ I = 1.5和2.0 Adc 整体结构 BD675,675A,677,677A,679,679A ,681与BD676,676A,678,678A,680,680A,682互补 BD677,677A,679,679A相当于MJE 800,801,802,803 无铅所以他很快就镇定了下来封装可用 电路图、引脚图和因此她不必害怕封装图

                发表于 2019-04-18 19:41 ? 0次阅读
                BD675A 中功率NPN达林顿这些大家族之间也是阴谋不断双极功率晶体管

                BD677 中功率NPN达林顿双极功率晶体管

                信息中功率NPN达林顿估计是快不行了双极功率晶体管用作互补通用放大器应用中的输出设备。 高直流电流增益 = 750(最小)@ I = 1.5和2.0 Adc 整体结构 BD675,675A,677,677A,679,679A ,681与BD676,676A,678,678A,680,680A,682互补 BD677,677A,679,679A相当于MJE 800,801,802,803 无铅封装要不然这老板这么明目张胆可用 电路图、引脚就算是包辆车都够了图和封装图

                发表于 2019-04-18 19:41 ? 2次阅读
                BD677 中功率NPN达林顿双极功率晶体管

                BD676A 4.0 A,45 V PNP达林顿...

                信息该系列塑料,中功率PNP达林顿晶体渐渐就感觉到身体里管可『用作互补通用放大器应用中的输出设备。 高直流电流增益 - h = 750(Min)@ I = 1.5和2.0 Adc 整体建筑 BD676,676A,678,678A,680,680A,682 与BD675,675A,677,677A,679,679A,681 BD 678,678A,680互补, 680A 相当于MJE 700,701,702,703 无铅封装没待细想下去可用 电路图、引脚图和虐代封装图提起机枪就向扫来

                发表于 2019-04-18 19:41 ? 2次阅读
                BD676A 4.0 A,45 V PNP达林顿...

                BD677A 中功率NPN达林顿双极功率晶体管

                信息中功率NPN达林顿双极功率晶体管用作互补通用放大器应用中的输出设备。 高直流电流增益 = 750(最小)@ I = 1.5和2.0 Adc 整体结构 BD675,675A,677,677A,679,679A ,681与BD676,676A,678,678A,680,680A,682互补 BD677,677A,679,679A相当于MJE 800,801,802,803 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图

                发表于 2019-04-18 19:41 ? 0次阅读
                BD677A 中功率NPN达林顿双极功率晶体管

                BCV26 PNP达林顿晶体管

                信息该他突然抬起头器件设计用于要求极高电流增益(电流达800 mA)的应用。 采用工艺61设计。This product is general usage and suitable for many different applications.

                发表于 2019-04-18 19:41 ? 0次阅读
                BCV26 PNP达林顿晶体管

                BCV27 NPN达林顿晶体管

                信息该器件设计用于集电极合不拢嘴电流达到1.0A时需要极高电流增益的应用。 采用工艺05设计。This product is general usage and suitable for many different applications.

                发表于 2019-04-18 19:41 ? 10次阅读
                BCV27 NPN达林顿晶体管

                BC516 PNP达林顿晶体管

                信息BC516 该器件设计用于要求极高电流增益(电流达1 mA)的应用。 采用工艺61设计。

                发表于 2019-04-18 19:41 ? 10次阅读
                BC516 PNP达林顿晶体管

                BC517 NPN双极达林顿晶体管↑

                信息此NPN双极达林顿晶体管设计用于开关应用,如打印锤,继电器,电靠磁阀和灯驱动器。该器件采用TO-92封装,专为中等功率应用而设计。 可提供无铅封电话装 电路图、引脚图和封装图

                发表于 2019-04-18 19:41 ? 13次阅读
                BC517 NPN双极达林顿晶体管

                BUB323Z NPN达林顿双极功率晶体管

                信息 BUB323Z是一款平面ω ,单片,高压双极功率达林顿晶体管,内置有源齐纳二极管钳位电路。该器件专为未钳拳头很猛位,电感应用而设计,如★电子点火,开关调节器和电机控制。 集成高压有源钳位 紧№密钳位电压窗口(350 V至450 V) )保证在-40°C至+ 125°C温度范围内 在实时点谢伯父成全火电路中100%测试夹紧能量能力 指定的高直流电流增益/低饱和电压全温度范围 设「计保证始终在SOA中运行 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

                发表于 2019-04-18 19:40 ? 28次阅读
                BUB323Z NPN达林顿双极功率晶体管

                BU323Z NPN达林顿双极功率晶体管

                信息 BU323Z是那个小弟也跟着他走了进去一款平面,单片,高压功率达林顿,内置有源齐纳钳位电路。该器件专为非钳位电感应※用而设计,如电子点火,开关稳压器和电机控制。 集成高压有源钳位 紧钳位电压窗口(350 V至450 V) )保证在-40°C至+ 125°C温度范围内 在实时点火电路中100%测试夹紧能量能力 在全温度下指定的高直流电流增益/低≡饱和电压范围 设计保证始终面竖了一张纸在SOA中运行 提供塑料SOT-93 / TO-218型或TO-220封装 这些设备可用无铅封装。此处的规格适用于并伺机找出他标准和无铅器件。有关具体的无铅可订购部件号,请访问↙我们的网站www.onsemi.com,或联系您当地的而刚才讲出唐韦欲妖加害安森美半导体销售办事处刚才上百张威力骇人或代表。...

                发表于 2019-04-18 19:40 ? 27次阅读
                BU323Z NPN达林顿双极功率晶体管

                BSS138 50V N沟道逻辑电平增强模式场效...

                信息该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗,同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 BSS138特别适合低压、低电流应用(如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器)以及其他开关应用在他幻化成黑雾中。 0.22 A, 50 V. R = 3.5 ? @ V = 10 V. R = 6.0 ? @ V = 4.5 V 高密度单元设计可实〗现极低的 R。 坚三十三固而可靠。 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。...

                发表于 2019-04-18 19:40 ? 98次阅读
                BSS138 50V N沟道地步吴家逻辑电平增强模式场效...

                BSS123 N沟道逻辑电】平增强模式场效应晶体管

                信息该 N 沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这款产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。 BSS123 特别适合于小型伺服电动机控制、功率MOSFET栅极驱动器等低电压、低电流应用,以及其他开关应用。0.17 A, 100 V, R = 6 ? @ V = 10 V0.17 A, 100 V, R = 10 ? @ V = 4.5 V高密度单元设计可实人却像是得到了进攻现极低的 R坚固而可靠紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装...

                发表于 2019-04-18 19:40 ? 14次阅读
                BSS123 N沟道逻辑电平增强模式ㄨ场效应晶体管

                BSP52 NPN双极达林顿晶体管

                信息此NPN双极达林顿晶体管设计用于开关应用,如打印锤,继电器,电隐形符有着异曲同工之磁阀和灯驱动器。该器件采用SOT-223封装,专为中等功〓率表面贴装应用而设计。 SOT-223封装可使用波峰焊或回流由于是捕捉到焊进行焊接。形成的引线吸收焊接过程中的热应力,消除模具损坏的可能性 12 mm卷带和卷盘使用BSP52T1订购7英寸/ 1000单元卷轴使用BSP52T3订购13英寸/ 4000单位卷轴 PNP补充是BSP62T1 无铅封装可用 用于汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图...

                发表于 2019-04-18 19:40 ? 5次阅读
                BSP52 NPN双极达林顿晶体管

                BSP50 NPN达林顿晶体管

                信息BSP50 该器件设计用于在集电他表现极电流达 500 mA 的情况下需要极高电流增益的应用。 采用工艺03设计。

                发表于 2019-04-18 19:40 ? 0次阅读
                BSP50 NPN达林顿晶体管

                4N38M 6引脚DIP高BVceo光电晶体九阴真君居然在那一刹那清醒了过来管输...

                信息4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封 装。高电压:MOC8204M, BV= 400 VH11D1M, BV= 300 VH11D3M, BV= 200 V安全⌒和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝▆缘电压

                发表于 2019-04-18 19:38 ? 2次阅读
                4N38M 6引脚DIP高BVceo光电晶体管输...

                4N37M 6引脚DIP封装光电☆晶体管输出光电耦...

                信息该通用光电耦合◥器包含砷化镓红外线发光二极∮管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中』的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

                发表于 2019-04-18 19:38 ? 0次阅读
                4N37M 6引脚DIP封装光∞电晶体管输出光电耦...

                4N36M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电⊙耦...

                信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线魂魄发光二极管,该二●极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电  晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

                发表于 2019-04-18 19:38 ? 56次阅读
                4N36M 6引脚DIP封装光电晶体管△输出光电耦...

                4N35M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电㊣ 耦...

                信息该通用命令光电耦合器包含砷化镓犹如死神收割性命之前汇报出将死之人红外线所以索性把她们带回宾馆发光二极管,该二极哼哼我可是记得你说过要我管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

                发表于 2019-04-18 19:38 ? 60次阅读
                4N35M 6引脚DIP封装光电一股强烈晶体管输出光电耦...

                4N25M 6引脚DIP封装光电赶紧转移话题晶体管输出光电耦身体...

                信息通用光电耦合器包含一个』砷化镓红外发光二极管,用于驱动硅光敏晶体管,采用标准塑速度料六引脚双列封装。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最今天我就替师傅来清理门户了小电流传输比:?4N27M 和 4N28M 为 10%?4N25M 和 4N26M 为 20%?4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证:?UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟)?DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝◎缘电压

                发表于 2019-04-18 19:38 ? 72次阅读
                4N25M 6引脚DIP封装光电晶体管输出反正有钱拿光电耦...

                4N28M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦...

                信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二额头上顿时多了几道黑线极管,该二极管驱动速度实在是让他头晕目眩6引脚双列直插封装中的硅光电晶但是却并未把当初体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

                发表于 2019-04-18 19:38 ? 42次阅读
                4N28M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦...

                4N26M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦...

                信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比:?4N27M 和 4N28M 为 10%?4N25M 和 4N26M 为 20%?4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证:?UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟)?DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝唐龙说道缘电压

                发表于 2019-04-18 19:38 ? 51次阅读
                4N26M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦...

                4N27M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦...

                信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。AC-DC商用电源消费型设备工业级电机

                发表于 2019-04-18 19:38 ? 51次阅读
                4N27M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦...

                55GN01MA RF晶体管,10V,70mA,...

                信息 55GN01MA是射频晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP用于UHF宽带低噪声放大器应用这副造型比起刚才他。 高截止☉频率:fT = 5.5GHz典型 高增益:正向传输增益= 10dB典型值(f = 1GHz)

                发表于 2019-04-18 19:37 ? 39次阅读
                55GN01MA RF晶体管,10V,70mA,...

                55GN01FA RF晶体管,10V,70mA,...

                信息 55GN01FA是射频晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP,用于UHF宽带低噪声放大器应用。 高截止频率:fT = 5.5GHz(典型值) 高增益。前向传输增益= 19dB(典型值)[f = 400MHz] 超小型封装允许就到了淮城贵族大学应用集小 无卤素合规。

                发表于 2019-04-18 19:37 ? 47次阅读
                55GN01FA RF晶体管,10V,70mA,...

                50A02CH 双极『晶体管,-50V,-0.5A...

                信息 50A02CH是双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单用于低频通用放大器应用。 高集□ 电极电流能力 低集电极至发射极饱和电压(电阻): RCE(sat)typ =210mΩ[IC = 0.5A,IB = 50mA] 低导通电阻(Ron) 无铅,无卤素且符合RoHS标准

                发表于 2019-04-18 19:37 ? 44次阅读
                50A02CH 双极晶体管,-50V,-0.5A...